爆料指出，臺(tái)積電3nm工藝已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)，蘋(píng)果將會(huì)是臺(tái)積電3nm工藝最大的客戶(hù)，A17 Bionic以及蘋(píng)果M2 Pro和M2 Max等芯片都是采用臺(tái)積電3nm工藝。

　　根據(jù)臺(tái)積電說(shuō)法，對(duì)比N5工藝，N3功耗可降低約25-30％，性能可提升10-15％，晶體管密度提升約70％。N3工藝的SRAM單元的面積為0.0199平方微米，相比于N5工藝的0.021平方微米縮小了5%。

　　除了采用臺(tái)積電3nm，另外爆料稱(chēng)蘋(píng)果A17 Bionic將會(huì)更注重降低功耗、提升手機(jī)電池續(xù)航。

　　值得注意的是，按照蘋(píng)果的差異化策略，iPhone 15 Pro和iPhone 15 Ultra會(huì)首發(fā)搭載蘋(píng)果A17 Bionic，而iPhone 15標(biāo)準(zhǔn)版會(huì)使用iPhone 14 Pro上的A16 Bionic。