半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為，臺(tái)積電北美技術(shù)論壇于美國(guó)時(shí)間4月26日登場(chǎng)，為全球技術(shù)論壇揭開(kāi)序幕，三星此時(shí)放話(huà)制程技術(shù)將在5年內(nèi)超越臺(tái)積電，較勁意味濃厚; 但臺(tái)積電2納米制程預(yù)計(jì)如期于2025年量產(chǎn)，距離現(xiàn)在不到2年8個(gè)月，顯示三星的制程技術(shù)能否如愿在5年內(nèi)超越臺(tái)積電有待觀察。
韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，三星半導(dǎo)體事業(yè)主管慶桂顯說(shuō)，三星的晶圓代工技術(shù)落后臺(tái)積電1~2年，不過(guò)一旦臺(tái)積電加入2納米競(jìng)賽，三星將領(lǐng)先臺(tái)積電。
臺(tái)經(jīng)院產(chǎn)經(jīng)資料庫(kù)研究員暨總監(jiān)劉佩真表示，三星去年6月就宣布3納米制程導(dǎo)入環(huán)繞閘極(GAA)架構(gòu)，因良率提升速度較預(yù)期緩慢，三星3納米爭(zhēng)取到的客戶(hù)訂單極為有限。
劉佩真說(shuō)，透過(guò)降價(jià)搶單策略，傳出三星分食到超威或Google部分4奈米訂單，不過(guò)這些大客戶(hù)仍主要由臺(tái)積電代工生產(chǎn)，因?yàn)榕_(tái)積電先進(jìn)制程良率穩(wěn)定度及整體表現(xiàn)都優(yōu)于三星。
她進(jìn)一步分析，臺(tái)積電囊括全球晶圓代工市場(chǎng)高達(dá)58.5%的市占率，遠(yuǎn)高于三星的15.8%，三星想彎道超車(chē)臺(tái)積電，仍有一大段距離。
臺(tái)積電北美技術(shù)論壇于美國(guó)時(shí)間4月26日登場(chǎng)，與臺(tái)積電較勁意味濃厚。 半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為，三星過(guò)去曾多次喊話(huà)制程技術(shù)將超越臺(tái)積電，不過(guò)，從高通與英偉達(dá)等國(guó)際芯片大廠紛紛擴(kuò)大臺(tái)積電先進(jìn)制程代工情況來(lái)看，臺(tái)積電先進(jìn)制程良率等各面向，仍相對(duì)具競(jìng)爭(zhēng)力。
